微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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  • 作者: 刘志军 吴洪江 高学邦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  437-440,445
    摘要: 主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果.电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现.为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端...
  • 作者: 赵小宁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  441-445
    摘要: 阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了Ⅰ型InP/InGaAS DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状.综述了InP DHBT在功率放大器、分...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  446-448
    摘要:
  • 作者: 吕雪芹 王佐才 王占国 金鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  449-456
    摘要: 简要回顾了超辐射发光管(SLD)的发展历史、量子点SLD的提出及优点,介绍了SLD的工作原理、器件结构及表征参数,详细分析了近年来国内外各研究小组在提高量子点SLD性能方面的研究进展.基于自...
  • 作者: 冯朝文 张南生 蔡理
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  457-459,488
    摘要: 分析了由线、反相器、扇出、择多逻辑门等量子元胞自动机组成的基本电路在工艺制造过程中可能存在的故障,基于块择多逻辑门的冗余结构设计思想,设计出具有容错能力的量子元胞自动机反相器,最后利用QCA...
  • 作者: 余若祺 崔玉兴 张博闻 李剑锋 邱旭
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  460-462,472
    摘要: 报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管.通过管芯的结构设计和工艺优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管...
  • 作者: TERENCE K.S.W 王利光 王畅 霍新霞 颜浩然
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  463-466
    摘要: 采用基于密度泛函方法的非平衡格林函数,对无限长锯齿形石墨烯带(7-ZGNR)的态密度和输运性质进行了理论计算和模拟.结果表明,此石墨烯带的电子输运系数和其态密度有关,波峰与波谷分别相对应.此...
  • 作者: 秦福文 章家岩 郎佳红 顾彪
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  467-472
    摘要: 介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系.分析了采用ECR_PEMOCVD生长技术,在口α-Al2O3衬底上低温外延GaN基薄膜...
  • 作者: 廖学红 朱玉玲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  473-476
    摘要: 以Pb(NO3)2、生物小分子L-半胱氨酸为原料,在室温下生成前驱体,然后采用单模微波水热法在150℃下反应1 h,制备出四方形的PbS纳米晶,考察了Pb(NO3)2与L-半胱氨酸的物质的量...
  • 作者: 兰靖 周志广 崔金强 常洪龙 苑伟政
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  477-483
    摘要: 为了快速有效地验证接口电路的可行性,对Si微陀螺建模方法及陀螺结构与接口电路的混合仿真方法进行了研究.在Si微陀螺动力学特性分析的基础上,利用硬件描述语言建立一种以低阶微分方程描述的si微陀...
  • 作者: 万敏 苏伟 陈樟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  484-488
    摘要: 提出了一种新颖的用于测量微结构力学性能的弯曲测试法--微射流驱动的弯曲测试法(microjet-driving microbending test method,JDBT).该方法利用气体微...
  • 作者: 田文杰 罗兵 邹淑芳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  489-493
    摘要: 利用ANSYS有限元理论模型分析AT切石英晶体受沿z轴方向的对径力作用时晶片内的应力分布情况,并计算三电极位置处的应力变化比值.测试了三电极谐振器的基频振荡频率,并计算其相应的力频系数.通过...
  • 作者: 宋海军 李运锋 王海江 韦学志
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  494-497
    摘要: 提出了一种用于光刻装置的Si片-工件台对准系统.该对准系统采用多光栅对准标记,标记的每个方向有序排列着四个子光栅.对准时,单波长对准光束照射在标记上,各级衍射光以不同的衍射角反射出.通过空间...
  • 作者: 刘文杰 吴洪江 高学邦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  498-501
    摘要: 介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制.在GaAs pHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上,在实现二路功率分配功能的同时,还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的...
  • 作者: 刘海文 郑伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  502-508
    摘要: 低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现微波组件小型化、轻量化、高性能和高可靠的有效方法.首先通过多芯片组件技术(MCM)引出了低温共烧陶瓷(LTCC)技术及其应用,接着介绍了LTCC无源滤波器的...
  • 106. 市场
    作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年8期
    页码:  509-510
    摘要:
  • 作者: 吕雪芹 王佐才 王占国 金鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  513-517
    摘要:
  • 作者: 代月花 刘明 刘璟 张满红 李德君 杨仕谦 杨潇楠 王永 王琴 陈军宁 龙世兵
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  518-524,539
    摘要: 随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制.指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着...
  • 作者: 何伟 明安杰 欧毅 焦斌斌 薛惠琼 陈大鹏 黄卓磊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  525-529
    摘要: 介绍了红外热成像技术的几种技术方案,重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术.通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOI Si片流片和测试,分别得到了单晶Si二极管在固...
  • 作者: 徐刚 徐雪青 甄恩明 苗蕾
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  530-534,539
    摘要: 采用溶胶-凝胶法,以二乙酰丙酮氧钒(VO(C5H7O2)2)为前驱物,通过提拉方式,在预镀非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上制备多晶纳米五氧化二钒(V2O5)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶变换红外吸...
  • 作者: 冯志宏 李佳 蔡树军 陈昊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  535-539
    摘要: 在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电...
  • 作者: 张冠 李以贵
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  540-545
    摘要: 基于声表面波技术近年来在微驱动技术领域快速发展的现状以及声表面波器件在生物、医疗、片上实验室等领域具有广阔应用前景的重要意义,就近几年来声表面波微驱动器的最新应用做了简要总结,介绍了声表面波...
  • 作者: 任豪 姚军 胡放荣 邱传凯
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  546-550,556
    摘要: 提出了一种基于静电排斥效应的MEMS离面驱动器,在消除静电拉入效应的同时得到了较大的静电排斥力.驱动器主要由三个下极板、一个上极板和弹簧梁组成.首先进行了静电排斥现象原理的分析,然后对弹簧梁...
  • 作者: 刘治华 吴一辉 杨杰伟 赵江铭
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  551-556
    摘要: 为了在平面微电机有限大尺寸的定子上制作大深宽比结构的绕组线圈,对大深宽比微结构的制作工艺进行了研究,综合比较各方面因素,从中找出了成品率高、可重复性好、工艺步骤简单的平面线圈的制作工艺,即在...
  • 作者: 杨修文 江锐 石义杰 祝生祥
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  557-560
    摘要: 基于挤压形变的原理,设计了一种用于制备楔形光纤探针的化学腐蚀简易装置.以普通的石英光纤为材料,通过改变自制夹具的松紧程度引起夹具在光纤上挤压力的变化,使光纤发生形变形成楔形,然后用适当比例的...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  560
    摘要:
  • 作者: 董会杰 辛忠 陆馨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  561-565
    摘要: 以苯甲醚为溶剂,采用旋涂法制备PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)转移层膜.当PMMA的质量分数为5%、旋涂速度为2 000~6 000 r/min时,转移层膜的厚度为90~150 nm,粗糙度为0...
  • 作者: 姜胜林 范茂彦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年9期
    页码:  566-574
    摘要: 针对铁电材料BST的电容在直流偏场下电性能随温度变化,设计了一种用来检测微小差分电容的电路.采用性能、形状较为一致的BST铁电陶瓷单元电容器配对结构,以电脉冲的方式读取不同温度下材料的充放电...
  • 作者: 唐光华 徐波 王占国
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年10期
    页码:  577-586
    摘要: 讨论了量子点红外探测器的工作原理、性能参数、暗电流形成机理及其优势,介绍了In(Ga)As量子点红外探测器的主要结构、性能和取得的最新结果,最后探讨了如何进一步提高量子点红外探测器的性能.指...
  • 作者: 任国燕 黄勤易
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年10期
    页码:  587-590
    摘要: 介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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