微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
总被引数(次)
16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
总被引数(次)
16974
文章浏览
目录
  • 作者: 刘宏伟 张世林 李晓云 毛陆虹 牛萍娟 王伟 谷晓 郭维廉 陈燕
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  461-469,506
    摘要: 在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概...
  • 作者: 陈海明 靳宝善
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  470-474
    摘要: 从上世纪末和本世纪初开始,有机半导体材料研究引起了业界的广泛重视,使有机半导体器件的实验室制作水平得到大幅提高,并逐步进入当前的商品发展阶段.概述了有机半导体的发展历程、各种器件结构与特性及...
  • 作者: 刘伟峰 刘旭光 杨永珍 许并社 郭明聪 韩艳星
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  475-479
    摘要: 采用光引发聚合方法在经浓HNO3氧化和KH-570硅烷偶联剂处理的碳微球(CMB)表面接枝聚甲基丙烯酸(PMAA),制得PMAA/CMB复合物.探讨了引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)用量对PM...
  • 作者: 张敏刚 张真真 柴跃生 陈峰华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  480-483
    摘要: Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料.但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用.系统阐述了薄膜的化学成...
  • 作者: 常洪龙 焦文龙 牛昊彬 苑伟政 郝星
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  484-489,502
    摘要: 根据矩阵结构分析理论和弹性力学理论建立了一种宽度随长度线性变化的变截面线性梁力学模型,采用硬件描述语言实现了其参数化系统级组件.基于该组件进行的系统级仿真结果与有限元仿真结果相比,静态分析和...
  • 作者: 卢新艳 邹学锋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  490-493,498
    摘要: 介绍了Allan方差的基本定义,以及采用Allan方差对陀螺零偏数据进行处理所需的测试系统构成及测试要点.详细推导了采用Allan方差法对陀螺仪噪声进行估算的过程,描述了应用MATLAB进行...
  • 作者: 周绍林 李金龙 胡松 赵立新
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  494-498
    摘要: 随着光刻机分辨力的提高,其焦深日益缩小.针对如何充分利用有限的焦深完成Si片的高效曝光,对步进扫描光刻机和双工件台光刻机的调平调焦原理进行了介绍,主要包括基于双光栅的检焦测量原理及检焦扫描路...
  • 作者: 李汝冠 李言荣 蒋书文 高莉彬
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  499-502
    摘要: 介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,B...
  • 作者: 付兴昌 崔玉兴 幺锦强 张力江
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  503-506
    摘要: 基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响.分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法...
  • 作者: 刘建 尧彬 张善伦 李斌 来萍
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  507-512
    摘要: 采用在线监测技术对高密度封装IC样品进行温度步进试验、温度循环试验和振动步进试验等高加速应力试验,确定了产品的耐受应力极限,验证了本试验方案和试验监测技术的有效性和可行性.通过失效分析,确定...
  • 作者: 方家兴 胡志富 蔡树军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  513-517
    摘要: 随着器件工作频率的升高,以集总元件模型描述大栅宽功率器件引入的误差将越来越大,且这一趋势随着栅长的减小更加显著.对微波大栅宽功率器件的分布性作了初步研究,对传统建模和器件优化方法进行改进,将...
  • 作者: 王文君
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  518-521
    摘要: 统计过程控制(SPC)技术已广泛用于半导体器件生产,采用SPC技术可以提高半导体器件的质量和可靠性.利用控制图可以监控生产过程状态,对生产中出现的异常及时进行分析、改进,使半导体器件工艺的生...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  522-524
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊