微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 陈宝钦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  69-73
    摘要:
  • 作者: 沈洲 沈鸿烈 陈军 马跃
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  74-78
    摘要: 通过提高发射区的方块电阻和优化发射区的磷杂质浓度纵向分布,制备了性能优良的单晶硅太阳电池.I-V测量分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度、开路电压和填充因子分别提高了...
  • 作者: 张仁平 杜彦东 杨富华 韩伟华 颜伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  79-86
    摘要: 首先论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波大功率领域的应用优势和潜力;其次,介绍并分析了影响AlGaN/GaN HEMT性能的主要参数,分析表明要提高AI-GaN/Ga...
  • 作者: 张永红 黄瑞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  87-91
    摘要: 采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500 V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)...
  • 作者: 李程 杨小刚 王犇 黄文君
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  92-97,117
    摘要: 详细介绍了聚苯胺纳米材料的结构和各种合成方法,并进行了分类,如化学氧化聚合法、电化学聚合法、辐射合成法、声化学聚合法、物理聚合法和酶催化聚合法等.分析了各种合成方法的起源、发展以及最新的研究...
  • 作者: 刘威 廖宗文 徐耀维 谭永佳 钟伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  98-102
    摘要: 采用溶胶-凝胶法和胶态晶体模板法,制备了大孔TiO2-ZnO复合纳米材料.其晶相结构和形貌特征采用X射线粉末衍射(XRD)、透视电子显微镜(TEM)进行了表征,并以甲基橙为降解对象,对其光催...
  • 作者: 王三胜 程远超 郭恺
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  103-107,127
    摘要: 采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响.结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有...
  • 作者: 李倩 杨志 杨拥军 胡小东
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  108-111,127
    摘要: 基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器.理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用...
  • 作者: 孔德义 张瑞 林新华 殷世平 王焕钦 王电令 王英先 程玉鹏 赵聪 陈池来 高理升 高钧
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  112-117
    摘要: 简要回顾了离子迁移谱技术的发展历程,叙述了常规离子迁移谱的局限性.阐述了基于MEMS工艺的新型高场不对称波形离子迁移谱技术,该技术以物质离子的离子迁移率在高场下的非线性变化特性为基础,可实现...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  117,138-140
    摘要:
  • 作者: 刘新宇 吴大卫 张希清 李昊峰 武德起 贾锐 陈伟 陈宝钦 陈晨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  118-127
    摘要: 介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术.阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,...
  • 作者: 刘永坤 吴磊 安宏 李学慧
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  128-131
    摘要: 分析了现有磁性液体合成装置的弊端,并进行针对性改装和部分设计.改装后的合成装置主要由脉冲电源、冷却、温控、搅拌、进料和调节等六部分组成.利用新改制的合成装置,对气-液两相介质进行脉冲活化和电...
  • 作者: 刘柱 周磊 曲艳丽 王淑娥 董再励
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  132-137
    摘要: 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了氢化非晶硅(a-Si:H)光电导薄膜,并利用双面胶技术封装ODEP芯片.构建了包括光投影模块和视频监控模块的ODEP自动化操作实验平台.以...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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