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微纳电子技术2013年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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91. AlN压电薄膜的制备工艺刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响.为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 微通道作为决定微流体系统性能的关键元件,其制作材料、工艺与装备是微机械领域的研究热点.现有微通道制作材料主要有硅及其氧化物、玻璃、聚合物三种.综述了不同材料微通道制作工艺的国内外研究现状,包...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 提出一种称之为“阵列误差光刻”的方法.采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布形成了一个最小的纳米间隙.设...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析.采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现.该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6 μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二...
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96. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要：
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97. 一种真空度可调的圆片级封装技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术.通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装.作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS...
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98. 量子元胞自动机干支型交叉线及应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 量子元胞自动机(QCA)耦合功能阵列是一种二维的纳米尺度计算范式,可靠性较低的共面交叉线结构是QCA电路交叉互连时的薄弱环节.信号分布网络是实现交叉线功能的一种新方法,但面临元胞随机翻转干扰...
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99. 高压二极管动态雪崩问题的仿真刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 针对高压快恢复二极管的动态雪崩问题进行了仿真分析,给出了典型的二极管动态雪崩瞬态图形,提出了一种改善器件动态雪崩耐量的新型扩展区结构,并进行了仿真验证.从有源区和终端区两方面研究了器件结构参...
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100. 纳米颗粒表面等离激元在太阳电池中的应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 金属纳米颗粒独特的光学性质,使其在薄膜太阳电池新型陷光结构应用方面极具前景.系统地介绍了金属纳米颗粒表面等离激元促进薄膜太阳电池光吸收机理,即光散射增强机理和局域场增强效应.在此基础上,概述...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 电容式RF MEMS开关是下一代高频通信领域中的关键部件.首先,介绍了电容式RFMEMS开关的结构、工作原理以及失效机理.介质充电是制约电容式RF MEMS开关长期可靠性的主要原因,介质膜中...
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102. 无线、无源压力传感器测试及标定方法刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 针对所制备的微机械无线、无源压力传感器的特点,完成了压力传感器的测试与标定.提出了一种测试与标定方法.以压力控制器输出的压力信号为标准信号源,并利用阻抗分析仪测量传感器谐振频率,克服了传统测...
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103. 基于MEMS技术新型湿度传感器的研制刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 描述了新型金属-Al2O3-PI-金属电容式湿度传感器的结构及工作原理,利采用Matlab 软件模拟了介电常数和湿度的关系,采用MEMS技术制造了新型湿度传感器,设计了测试方案,测量和分析了...
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104. 不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 选取Ti/Au作为金属过渡层来实现低温硅-硅共晶键合.首先介绍了共晶键合的基本原理,分析了选择金-硅共晶键合的原因,设计了单面溅金、双面溅金以及不同温度下的硅-硅共晶键合实验.采用超声波显微...
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105. 柔性复合模板压印技术制备图形化蓝宝石衬底刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 图形化蓝宝石衬底(PSS)技术对提高发光二极管(LED)的内量子效率和光提取效率具有重要意义.研究了一种采用柔性复合模板压印制备图形化蓝宝石衬底的技术,其工艺流程主要包括三步图形转移.首先,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 在铜互连超大规模集成电路(ULSI)中,由于铜和钽的物理化学性质的差异造成两者的去除速率不同,导致布线晶圆表面抛光后出现碟形坑等缺陷.针对该问题,研究了盐酸胍(CH5N3·HCl)对Cu和T...
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107. 金属诱导横向晶化非晶硅薄膜技术及新发展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 金属诱导横向晶化技术(MILC)由于具有晶化温度低、晶化颗粒大等优点而获得了快速发展.阐述了金属诱导横向晶化非晶硅薄膜的晶化机理、晶化效果及影响晶化效果的主要参数,并介绍了基于多种辅助措施,...
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108. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要：
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109. pH值对碱性抛光液速率稳定性的影响刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 通过分析pH值对碱性抛光液抛光速率稳定性的影响,得出了碱性抛光液抛光速率相对稳定的pH值区间,并与酸性抛光液进行了对比,在酸性环境中至少稳定24 h,pH≤4时甚至可稳定6天.在碱性环境中p...
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110. 溶胶-凝胶法制备的染料敏化太阳电池的性能刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 通过溶胶-凝胶法在ITO和玻璃表面制备了TiO2薄膜,从果实黑米中提取了天然色素作为敏化剂,将KI和I2与有机溶剂作为太阳电池的电解质,组装了染料敏化太阳电池(DSC).研究了薄膜厚度、烧结...
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111. GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑...
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112. Si/SiO2界面的原子结构模型刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目...
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113. 高隔离度阶跃结构MEMS开关的设计刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 针对MEMS开关提高电容比需要提高驱动电压的问题,提出了一种应用于Ku频段的阶跃结构MEMS开关,该结构结合了固支梁开关和悬臂梁开关,使得开关有两个驱动高度.当固支梁被吸合时,悬臂梁高度会随...
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114. 基于MEMS高阻硅基底的X波段微带天线刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 对基于MEMS的高阻硅基底阵列式微带天线设计、制造及测试三部分内容进行了研究.此X波段阵列式微带天线以高阻硅为基底,采用背面刻蚀基底厚度一半的空气腔,使用侧馈的方式馈电,以二等功分器构成馈电...
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115. 基于数控雕刻机的微流控芯片制作方法刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 介绍了一种基于数控雕刻机的简捷微流控芯片制作方法.结合数控雕刻机加工模式中平行粗加工和等高线细加工的优点,设计并提出了一种不对称路径加工方法,有效避免了微结构在加工过程中出现断裂、扭曲及其附...
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116. 化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： Turner机理对于化学刻蚀中多孔硅形成的描述中,并未对表面活性数据和纳米结构的形成进行详细解释.通过研究发现氧化物在纳米多孔硅薄膜的形成中并不起重要作用,基于对化学刻蚀和纳米结构形成机理的...
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117. 反面水浴斜曝光法制作三维微透镜阵列刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 提出一种反面水浴斜曝光的方法用于制作主光轴平行于基底的微透镜阵列.已有的水浴斜曝光法中,由于基底处光刻胶获得曝光剂量较少而不易充分交联固化,在显影时出现与基底粘附不牢固,导致成品率较低.反面...
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118. 阻挡层CMP中铜损失的问题刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 通过对阻挡层CMP后布线片各个单元的电学参数的检测,研究了阻挡层CMP后产生的铜损失问题.通过探索规律性实验研究了螯合剂和表面活性剂对铜和钽的去除速率的影响规律,得到铜的去除速率与阻挡层材料...
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119. 多重图形技术的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 综述了多重图形技术的研究进展,简述了多重图形技术的目的和意义.首先,按照技术特征,将多重图形技术分为纯间距分离技术、纯间距分割技术和间距分离分割混合技术.然后,介绍了三种多重图形技术的代表性...
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120. 飞秒四光束干涉技术加工石墨烯纳米网刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 由于石墨烯的特殊半导体性质,实现其在电子器件中实际应用的关键是对石墨烯层进行微纳结构处理.简单介绍了飞秒四光束干涉技术应用于石墨烯微纳加工的优势.对实现飞秒四光束干涉的两种实验方法进行了介绍...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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