用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺

• 作者: 梁东升 胡顺欣 苏延芬 邓建国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 深槽隔离 各向异性刻蚀 等平面 自对准 微波单片集成电路(MMIC)
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 528-533
• 分类号: TN305.95
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.08.010

摘要

研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现.该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6 μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8 μm深的有源区硅台面和采用1.5～1.6 μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上.此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡顺欣	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	21	3.0	4.0
2	苏延芬	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	39	2.0	6.0
3	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
4	梁东升	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	4	2.0	2.0