微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 孙建东 杨昕昕 秦华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  69-73,99
    摘要: 在0.8~1.1 THz内,对A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器的响应度和噪声等效功率进行了具体测试和分析.在太赫兹波辐射下,HEMT太赫兹探测器源漏端产生能被栅压...
  • 作者: 曾凡光 李晓荃 李玉魁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  74-77,117
    摘要: 利用钠钙平板玻璃形成阴极板;结合丝网印刷技术在阴极板上制作了分段圆型碳纳米管阴极结构.烧结固化的银浆层用于分别构成矩形底电极和圆型底电极,其良好的导电性能确保阴极电势能够被顺利传导给碳纳米管...
  • 作者: 刘桢 吴洪江 吴阿慧 张志国 斛彦生 银军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  78-80,94
    摘要: 基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯.通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗.使用多节λ/4阻...
  • 作者: 顾伟霞 马锡英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  81-85
    摘要: 单层硫化钼(MoS2)是具有直接带隙1.8 eV的二维半导体,因其特殊的六方晶系层状结构,而具有优异的物理和化学性质.简要介绍了MoS2材料的几种主要制备方法:如高温硫化法、水热法以及表面活...
  • 作者: 张敏刚 田小丽 陈峰华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  86-89
    摘要: 采用射频磁控溅射镀膜技术,分别以不同的衬底负偏压和射频溅射功率下在p型Si (100)基片上制备了SiO2/Cu薄膜.用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行扫描分析,实验结果表明,衬底...
  • 作者: 王孝民 董盈红 蔡允高
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  90-94
    摘要: 一维光子晶体基本周期的介质折射率取n2=1.5和n3 =2.5,采用传输矩阵法,通过Fortran编程进行数值计算,分别得到了不同周期层数(N)及不同入射角度(θ1)下的一维光子晶体透射谱;...
  • 作者: 唐彬 施志贵 谢国芬 陈颖慧
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  95-99
    摘要: 介绍了一种减小交叉耦合的三维微加速度计的设计,该设计采用全差分电容式结构,X轴和Y轴采用梳齿电容式加速度计,Z轴采用扭摆电容式加速度计,三个轴向各自具有不同的敏感质量块,能够有效减小交叉耦合...
  • 作者: 朱平 薛晨阳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  100-105,117
    摘要: 总结了几种传统人工肌肉的工作原理、特点及其在机器人驱动中的应用现状,分析了面向机器人驱动的传统人工肌肉技术的不足.在描述电共轭液的性能特性基础上,指出基于电共轭液的人工肌肉及微手指不仅在电能...
  • 作者: 刘桂英 牛洁斌 赵珉 陈宝钦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  106-111
    摘要: 为了提高电子束光刻的图形质量及光刻分辨率,从入射束能和束流密度等方面探讨了克服邻近效应影响的途径,在制备亚30 nm结构图形时采用零宽度线曝光的方法.该方法把版图上线条的宽度设为零,因此该线...
  • 作者: 刘玉岭 张超 甘小伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  112-117
    摘要: 介绍了CMP浆料SiO2水溶胶的Na+含量过高对集成电路可靠性的影响,讨论了硅溶胶纯化制备过程中容易凝胶的不稳定现象.中试实验中,采用阳离子交换的方法,去除Na+等金属离子.改变SiO2水溶...
  • 作者: 吕亚平 吕植成 师帅 张学斌 方靖 汪学方 袁娇娇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  118-123,128
    摘要: 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法.具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片.利用两种不同的工艺实现了TSV...
  • 作者: 侯梅芳 庞道标 徐彬 林正锋 罗远来 蔡伟凯
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  124-128
    摘要: 利用微波辅助有机溶胶法成功制备了Pd3Ru/C纳米电催化剂.相比传统的高压有机溶胶法,该法大大降低了有机溶剂的使用量并缩减了反应时间,是一种环境友好和资源节约的新型方法.采用XRD,TEM,...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  129-132,前插1-前插2
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
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