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真空电子技术2006年出版文献
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
真空电子技术
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Vacuum Electronics
影响因子
0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的...
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主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究了利用丝网印刷法制备碳纳米管阴极,以获取很大的发射电流.用传统的二极结构,在真空压强小于5×10-4Pa的条件下测量了用该方法制备的场发射阴极,阴极形状为直径3 mm的圆点.测量结果表明...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 碳纳米管已经作为电子源广泛应用于场致发射显示器件中.本文讨论了场致发射显示器的工作特性,以及CNT-FED对驱动电路的要求.根据脉宽调制(PWM,Pulse Width Modulation...
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3. FED显示系统的γ校正刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在视频图像和计算机图形学中,γ校正是一个实现图像尽可能真实地反映原物体或原图像视觉信息的重要过程.在传统的阴极射线管(CRT)中图像信号的再现,由于电子枪的调制特性是非线性的,会出现亮度失真...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 传统的前栅极场致发射显示板由于介质层和栅极的制作在生成或制作阴极场致发射源之后,在制造过程中容易破坏场致发射源;另外阴极发射对介质层厚度、阳极电压和调制极开口等参数非常敏感,所以器件的发射均...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在碳纳米管场致发射显示器件结构中,需要采用光刻的方法制备各种不同的ITO图案和电极图案.本文着重介绍了ITO玻璃的表面处理和光刻过程.实验中采用在紫外曝光条件下,对光刻工艺中影响其刻蚀结果分...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 碳纳米管的一个重要的应用是在场发射显示器件中作为电子的发射体.本文主要探讨了幅度调制、空间调制、时间调制等几种平板显示中常见的灰度等级实现方式以及其各自的优缺点,尤其针对碳纳米管场致发射显示...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： CdS是一种直接能隙半导体,其带隙约为2.42 eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单,成本低廉,成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点.本文...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 探讨了CNT-FED驱动电路的一般性结构,给出了彩色FED驱动系统的硬件实现,并在原有硬件模块的基础上增加色度变换模块,从而使变换后的RGB信号更适合于平板显示,具有色彩增强的效果.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备,并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能.在此工艺基础上,自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管,配以简单的驱动电路,实现了...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P-VMD)二极管中电流-电压近似按二分之三次方关系式工作.本文在此关系式及Forler-Nordheim场发射方程的基础上[2],...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在不同表面宏观电场下对定向生长于镍片上的碳纳米管膜的场致发射电流密度进行了测定,被测样品是在作者提供的纯镍基片上由美国Xintek公司加工,测试条件为:发射窗口直径3 mm,平行板电极系统极...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用钛酸钡薄膜替代了金属-氧化物-硅结构冷阴极的氧化物绝缘层,并利用场发射扫描电镜、X射线衍射、EDS分析表征了钛酸钡薄膜.观察到低起始阈值的场发射现象,对可能的场发射机理进行了讨论.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的.对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(U/d),发射电流密度、总电流与发射面积成正比;对于半球...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC.研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过Hf...
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15. 相干电子束实验装置的研制刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 相干电子束能提供样品上许多重要的信息,点投影显微镜是研究电子束相干特性的有利工具,而高亮度相干电子束可以大大改善电子光学系统空间分辨和能量分辨,可以应用于电子全息摄影和电子干涉测量等领域.本...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用有限元方法计算了具有微小栅极孔径的Spindt结构场发射阴极在不同栅极形状、孔径、电压下的电场分布和电子轨迹,并根据电子运动轨迹计算了场发射电子束的发散角和发射效率.计算结果表明微小栅极...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积系统在陶瓷衬底上制备了具有sp2键价结构的纳米非晶碳膜.用Raman谱、XPS谱、SEM和XRD等手段分析了薄膜结构.样品经过多次场发射测试后I-U曲线趋于稳定,...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 以金镍复合膜为催化剂,运用等离子体增强的热丝化学气相沉积法制备了一种硅尖和高质量定向碳纳米管的混合物.为制备这种混合物,实验中96%的高浓度氢气和相对高的生长压力被使用.改变生长压力时,不同...
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19. 场发射显示器的基板形变分析刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用碳纳米管作为发射源的碳纳米管场致发射显示器是一种新型的平板显示器件.本文由FED基板形变方程出发,用ANSYS软件模拟了阳极基板的厚度对基板形变的影响,得出了厚度和基板形变的关系.在实际...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 对基于印刷碳纳米管(CNT)薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究.微观分析结果表明,器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的.印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正...
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21. 丝网印刷碳纳米管阴极老炼特性研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 影响碳纳米管阴极场发射稳定性和寿命的主要因素有真空度、场发射过程中的热效应以及场发射体对场发射电流的承载能力等.本文从外部特性的角度,对丝网印刷碳纳米管阴极老炼前后的场发射特性曲线进行了分析...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 由于碳纳米管阴极场发射点数量巨大,分布无规律,无法单独测量各个场发射点的开启阈值,所以一直没有效的实验方法获得碳纳米管阴极中场发射点开启阈值的分布规律.本文采用丝网印刷碳纳米管点阵作为阴极,...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 着重介绍了ANSYS有限元分析软件在行波管收集极辐射热分析方面的工作,辐射热分析的结论可以为实际中收集极的设计工作提供一些参考和依据.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积方法,以Ni作为催化剂实现碳纳米管阵列定区域单根分立生长.扫描电子显微镜分析结果表面,碳纳米管呈现笔直生长,生长速率大于500 nm/min,长度和直径比较均匀,...
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25. 稀土难熔金属阴极材料研究进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 研究了稀土钼阴极的热发射、次级发射及亚微米结构钪钨基扩散阴极的热发射性能.结果表明,La2O3-Mo热阴极具有良好的热电子发射性能并具有抗暴露大气的能力.稀土钼次级发射材料经过1000～12...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 分别用传统测试方法和用矢网测量S参数法测试了行波管的调幅调相转换系数,对两次测试结果进行了比较,并重点对矢网测试的误差进行了分析和讨论,确定了用矢网测量行波管AM/PM参量的方法.实际测试结...
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27. 阴极-热子组件加热功率的研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 对影响阴极-热子组件加热功率的几个因素进行了分析,并从有效加热面的增大、阴极支持筒材料的选择、氧化铝绝缘层烧结工艺以及装架工艺等几个方面进行了改进,从而满足了高可靠、高效率、长寿命X波段行波...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 无内反射的理想行波管小信号和大信号互作用理论不能解释行波管的增益和相移随频率快速波动的现象,但这种现象在行波管中不同程度地存在,并严重影响行波管的总体性能,特别是影响行波管幅度和相位的一致性...
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29. 动态信息刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年2期页码:摘要：
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2006年2期页码:摘要： 用途广泛的合成孔径雷达跟传统雷达相比有许多特点,所使用的功率行波管的设计方法亦不同于传统的功率行波管.本文简述了SAR的特点对新型功率行波管设计提出的新要求,同时介绍了新型功率行波管研制上的...
真空电子技术基本信息
| 刊名 | 真空电子技术 | 主编 | 廖复疆 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 北京真空电子技术研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-8935 | CN | 11-2485/TN |
| 邮编 | 100015 | 电子邮箱 | VETECH@163.com |
| 电话 | 010-84352012 | 网址 | |
| 地址 | 北京749信箱7分箱 |
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