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发表时间：2001-05-01
摘要:
介绍了PIXE(质子激发X射线发射)分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限.用此分析技术,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定.发现在有的注入机上注氧时带进了Cr, Mn, Fe, Cu等污染元素.结果表明,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点,十分适合在这一领域的研究中应用.
发表时间：2003-01-01
摘要:
讨论了由国产LC-14型强流氧离子注入机制备的SIMOX(separation by implanted oxygen)材料薄膜厚度的测量和分析.采用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层的厚度,这是一种快速非破坏性测量方法.根据离子注入原理估算表面硅层的厚度,并分析了影响估算精度的各种因素.
刊名：物理学报
发表时间：2001-01-01
摘要:
采用常规方法和分步注入法制备SOI-SIMNI(Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen)薄膜材料.用液氦低温霍耳效应进行了分析测量.测量结果表明：分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□和较高的载流子迁移率.实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能.对实验结果和机理进行了解释.
发表时间：2003-01-01
摘要:
利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜,反应气体为氨气和硅烷.这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火.对太阳电池而言,氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用.利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性.实验发现随着退火温度的增加,氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加,可以归因于在退火过程中,薄膜愈加致密.红外吸收谱的研究发现,氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降,而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化.这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关.
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