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摘要:
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一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管
隧穿
场效应晶体管
平均亚阈值斜率
隧穿势垒
部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型
部分耗尽
异质环栅
金属氧化物半导体场效应晶体管
阈值电压
铁电场效应晶体管的建模与模拟
铁电场效应晶体管
铁电极化
模拟
建模
表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响
石墨烯
场效应晶体管
表面粗糙
电流
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 一种用于高压耗尽型功率MOS场效应晶体管的沟道添加新技术
来源期刊 红讯半导体 学科 工学
关键词 功率 MOSFET 沟道 耗尽型
年,卷(期) 1989,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 46-49
页数 4页 分类号 TN386.05
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DOI
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
功率
MOSFET
沟道
耗尽型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红讯半导体
双月刊
上海新肇周路1381号
出版文献量(篇)
37
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