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65 nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
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65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
多位翻转
静态随机存储器
双阱
电荷共享
重离子
微束实验
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 高能注入阱CMOS器件与特性
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 CMOS 器件 特性 离子注入 隔离阱
年,卷(期) 1989,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-8
页数 8页 分类号 TN386.1
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
器件
特性
离子注入
隔离阱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
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