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摘要:
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CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证
CMOS器件
单粒子闭锁效应
防护电路
脉冲激光
基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究
CMOS
抗辐射加固
RHBD技术
DICE
D-Latch
阈值LET
体硅CMOS电路瞬时电离辐射下的自洽防闩锁机理分析
瞬时辐射
闩锁
剂量率
CMOS集成电路
一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源
电压基准
极低功耗
无电阻
无Bipolar晶体管
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 nn^+结构消除CMOS电路自锁效应的探讨
来源期刊 上海科技大学学报 学科 工学
关键词 集成电路 COMS电路 自锁 消除
年,卷(期) 1990,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 39-42
页数 4页 分类号 TN432
字数 语种
DOI
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引文网络
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1990(0)
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
COMS电路
自锁
消除
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海科技大学学报
季刊
0258-7041
31-1435/N
上海市嘉定城中路20号
出版文献量(篇)
370
总下载数(次)
2
总被引数(次)
0
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