论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 综合期刊 \
- 其它期刊 \
- 上海微电子技术和应用期刊 \
典型硅光敏器件特性的综合评述
推荐文章
硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响
SOI
槽栅MOS器件
短沟道效应
热载流子效应
体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究
体硅LDMOS
等温
非等温
负阻效应
斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
硅器件
表面耗尽区
光感生电流
硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究
微波功率晶体管
功率增益
失效机理
退化
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献 (0)
共引文献 (0)
参考文献 (0)
节点文献
引证文献 (0)
同被引文献 (0)
二级引证文献 (0)
1991(0)
- 参考文献(0)
- 二级参考文献(0)
- 引证文献(0)
- 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
硅光敏器件
光电二极管
光电三极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位：
出版周期：
季刊
ISSN：
1006-9453
CN：
31-1239/TN
开本：
出版地：
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
435
总下载数（次）
3
总被引数（次）
0
期刊文献
相关文献
推荐文献
