高补偿硅的光敏感特性

• 作者: M·K·巴哈迪尔哈诺夫 丛秀云 巴维真 张建 陈朝阳 陶明德
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: p型单晶硅 掺杂锰 高补偿硅 光敏感特性
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.03.007

摘要

对电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅.并在室温(25℃)和液氮温度(-196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性.测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建	中国科学院新疆理化技术研究所	113	802	13.0	25.0
2	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
3	巴维真	中国科学院新疆理化技术研究所	25	201	8.0	13.0
4	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0
5	陶明德	中国科学院新疆理化技术研究所	15	251	8.0	15.0