补偿硅的温度敏感特性

• 作者: M·K·巴哈迪尔哈诺夫 丛秀云 巴维真 张建 陈朝阳 陶明德
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 补偿硅 高补偿 过补偿 温敏特性
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 23-24,28
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.05.008

摘要

采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 103,5 600,6 103,6 502 K.这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建	中国科学院新疆理化技术研究所	113	802	13.0	25.0
2	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
3	巴维真	中国科学院新疆理化技术研究所	25	201	8.0	13.0
4	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0
5	陶明德	中国科学院新疆理化技术研究所	15	251	8.0	15.0