高补偿硅的阻–温特性

• 作者: M·K·巴哈迪尔哈诺夫 丛秀云 巴维真 张建 陈朝阳 陶明德
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高补偿硅 光敏 深能级
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.04.007

摘要

采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建	中国科学院新疆理化技术研究所	113	802	13.0	25.0
2	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
3	巴维真	中国科学院新疆理化技术研究所	25	201	8.0	13.0
4	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0
5	陶明德	中国科学院新疆理化技术研究所	15	251	8.0	15.0