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摘要:
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AlxGa1-xAs材料结构与物理特性的第一性原理研究
第一性原理
晶格常数
电子结构
光学性质
热力学性质
基于MOCVD生长的高Al组分AlxGa1-xN的HRXRD研究
MOCVD
AlxGa1-xN
HRXRD
位错
晶格常数
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 砷化镓铝 双异质结激光器 生长 MOCVD 特性
年,卷(期) 1994,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-4
页数 4页 分类号 TN248.4
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
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1994(0)
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研究主题发展历程
节点文献
砷化镓铝
双异质结激光器
生长
MOCVD
特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
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