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热壁MOCVD法生长Hg1—xGdxTe材料
热壁MOCVD法生长Hg1—xGdxTe材料
作者:
丁永庆
毕戈雄
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
红外光学材料
热壁MOCVD法
HGCDTE
摘要:
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文献信息
篇名
热壁MOCVD法生长Hg1—xGdxTe材料
来源期刊
上海半导体
学科
工学
关键词
红外光学材料
热壁MOCVD法
HGCDTE
年,卷(期)
1994,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
35-38
页数
4页
分类号
TN213
字数
语种
DOI
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1994(0)
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红外光学材料
热壁MOCVD法
HGCDTE
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位:
出版周期:
季刊
ISSN:
1006-9453
CN:
31-1239/TN
开本:
出版地:
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
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