甲硅烷热CVD制备非晶硅薄膜的生长理论分析

• 作者: 王宇 赵宇
• 来源期刊: 薄膜科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜生长 甲硅烷 非晶硅 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 1995,（1）
• 页码范围: 13-19
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.120

摘要

本文将有关流体力学与分子传质理论及化学反应动力结合起来，对于反应室为单面加热，温度场可调节的热ＣＶＤ系统进行了边界层理论分析，得到了流体的速度、温度及浓度分布。从硅烷的气相分解及有关基团的表面反应出发，求出薄膜生长速率模型，计算结果与实验数据相吻合，表明是合理的。同时也从理论上证实了所分析的这类甲硅烷热ＣＶＤ系统是制备非晶硅薄膜的理想结构之一。