制备条件对反应溅射制备的a—SIC：H膜结构和特性的影响

• 作者: 王印月 王辉耀
• 来源期刊: 上海硅酸盐
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅碳膜 反应油射法 制备 射频功率
• 年，卷（期）: 1995,（3）
• 页码范围: 157-162
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1

摘要

通过红外透射谱，可见－紫外透射反射谱和电导率的测量，研究制备条件（射频功率Ｐ和ＣＨ４流量比ｒｃ）对反应溅射法制备的ａ－Ｓｉｃ：Ｈ膜的结构和特性的影响。结果发现，当Ｐ＝３２０Ｗ，ｒｃ＝３．４１％时，膜的质量较好：带尾较窄，膜中Ｃ成四配位，ＳｉＣ键数目较多，Ｅｏｐｔ〉２ｅＶ。对实验结果作了初步讨论。