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篇名 先进的砷提纯和GaAs合成方法对非掺SI—GaAs单晶高质量稳定生产影响
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 砷化镓 SI-GAAS单晶
年,卷(期) 1995,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 16-17
页数 2页 分类号 TN304.23
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半导体
砷化镓
SI-GAAS单晶
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电子材料快报
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天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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