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摘要:
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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
减少杂波干扰的可控硅调速电路设计
杂波干扰
可控硅调速
过零检测
触发
模拟CMOS集成电路SEL仿真验证研究
CMOS集成电路
单粒子闩锁
失效物理
仿真验证
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 抑制CMOS集成电路可控硅效应的措施
来源期刊 江南航天科技 学科 工学
关键词 地对空导弹 发射控制车 抗干扰 CMOS
年,卷(期) 1996,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 36-37,35
页数 3页 分类号 TJ768.2
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈中彬 1 0 0.0 0.0
2 陈斌 1 0 0.0 0.0
传播情况
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
地对空导弹
发射控制车
抗干扰
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
江南航天科技
季刊
贵州省遵义市北京路36号
出版文献量(篇)
600
总下载数(次)
5
总被引数(次)
0
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