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半导体器件静电击穿及其规律
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研究主题发展历程
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半导体器件
静电击穿
氧化膜
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期刊影响力
LSI制造与测试
主办单位：
上海光学仪器研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
31-1459/TN
开本：
出版地：
上海江西中路450号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
366
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