分布式电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜

• 作者: B.Agius D.Pribat F.Plais M.C.Hugon 江南
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2薄膜 分布式电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 161-169
• 页数: 9页
• 分类号: TB4
• 字数: 5493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.03.001

摘要

介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺.讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响.采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法,对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究.在此基础上,还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试,并在最后给出了采用DECR SiO2的薄膜晶体管的特性曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江南	东南大学电子工程系	5	38	3.0	5.0
2	M.C.Hugon	东南大学电子工程系	1	3	1.0	1.0
3	B.Agius	东南大学电子工程系	1	3	1.0	1.0
4	F.Plais	东南大学电子工程系	1	3	1.0	1.0
5	D.Pribat	东南大学电子工程系	1	3	1.0	1.0