在SiO2和Si3N4膜上用RTCVD法沉积多晶硅薄膜的研究

• 作者: 于元 于民 李国辉 王文静 罗欣莲 许颖 赵玉文
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 化学汽相沉积 衬底
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 298-301
• 页数: 4页
• 分类号: TQ32
• 字数: 1797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.1999.03.013

摘要

报道了在SiO2和Si3N4膜上用RTCVD法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果,在这两种薄膜上制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜,发现两者在薄膜的结构和结晶取向上有很大不同.用RTCVD法在SiO2膜上沉积的多晶硅膜,晶粒较大,晶粒间的空隙也较大,晶粒的择优取向为〈111〉;在Si3N4膜上沉积的多晶硅薄膜,晶粒尺寸较小,晶粒致密,晶粒间基本无空隙,晶粒的择优取向为〈100〉.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许颖		39	349	12.0	17.0
2	王文静		35	350	10.0	18.0
3	李国辉	北京师范大学低能物理研究所	12	13	2.0	3.0
4	于元		8	29	4.0	5.0
5	赵玉文		13	262	5.0	13.0
6	罗欣莲		2	10	2.0	2.0
7	于民	北京师范大学低能物理研究所	2	10	2.0	2.0