LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察

• 作者: 郑安生 陈坚邦
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 扫描透射电镜(STEM) 扫描电镜(SEM) 磷化镓 缺陷
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 340-343
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.005

摘要

使用STEM、SEM观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤. 切片损伤层深度约30.3 μm, 磨片损伤层深度小于20 μm. 还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑, 认为这是单晶生长时, 磷挥发造成的. 同时离晶体表面100～150 μm范围内有镓凝聚物, 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈坚邦		7	77	4.0	7.0
2	郑安生		11	36	3.0	5.0