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球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变
球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变
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摘要：
推荐文章
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性
量子阱
碳化硅
固源分子束外延
反射高能电子衍射
光致发光
6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究
碳化硅
化学气相沉积
异质外延
透射电子显微镜
硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制
硅
熔体
碳化硅
抑制
直接烧结6H-SiC氧化机理的实验研究与分子动力学模拟
SiC
被动氧化
氧化机理
氧气扩散
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中国科学(技术科学)
主办单位：
中国科学院
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-7259
CN：
11-5844/TH
开本：
出版地：
北京东黄城根北街16号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
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