非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响

• 作者: 付浚 李光平 杨瑞霞 贾晓华
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 激活率 场效应晶体管
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 52-54
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.1999.01.012

摘要

通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL2对半绝缘(SI)LECGaAs中注入硅(Si)激活率的影响,发现激活率随EL2浓度的增加而增加,讨论了EL2影响硅注入激活率的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电气信息学院	180	759	13.0	18.0
2	付浚	河北工业大学电气信息学院	7	10	2.0	3.0
3	李光平		3	1	1.0	1.0
4	贾晓华		2	0	0.0	0.0