氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响

• 作者: 余学功 杨德仁 王晓泉 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢 退火 热施主 氮氧复合体 直拉单晶硅
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 353-355
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.010

摘要

本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少,不会对硅片的电阻率产生明显的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
5	王晓泉	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	165	5.0	7.0