碳杂质对直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响

• 作者: 余学功 原帅 周军委 杨德仁 袁康 马向阳
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氮直拉硅单晶 氮氧复合体 浅热施主 碳杂质
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 691-694
• 页数: 4页
• 分类号: TN301.2
• 字数: 2591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.05.001

摘要

本文研究了碳杂质对掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响.电阻率测试和低温傅里叶远红外吸收光谱研究表明:碳杂质显著降低了掺氮直拉硅单晶在650℃退火时所形成的氮氧复合体浅热施主浓度.此外,研究还发现碳杂质使掺氮直拉硅单晶在650℃退火时形成了碳氧复合体和更多的氧沉淀核心,由此消耗了更多的间隙氧原子.这一发现被认为是碳杂质抑制掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	原帅	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	14	3.0	3.0
4	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
5	周军委	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	袁康	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0