宽温区体硅MOST阈值电压温度特性的研究

• 来源期刊: 东南大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOST 阈值电压 温度特性 模型
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

该文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上,详细探讨了宽温区体硅NMOST阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温度特性的影响,提出了298 ~523 K宽温区体硅NMOST阈值电压的γ σ因子温度非线性简化模型.该模型的模拟结果与高温MOS器件模拟软件HTMOS的数值模拟结果吻合得很好.