SiC薄膜的场致发射实验研究

• 作者: 朱长纯 李德昌 李跃进 杨银堂
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiC薄膜 场致发射 I～V特性 测试实验
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 529-532
• 分类号: TN1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.1999.04.031

摘要

利用常压化学气相淀积(APCVD)设备,在单晶Si片上淀积出了一层SiC薄膜.这种SiC薄膜可以用作场致发射的阴极,该文报道了其场致发射的I～V特性测试结果.结果表明,该薄膜的场致发射具有Fowler-Nordheim的指数形式,而其发射场强的阈值约为1 V/μm.在测试出的I～V特性曲线上,发现了共振隧穿特征.该特征值得进一步研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	朱长纯	西安交通大学真空微电子所	215	2372	22.0	41.0
3	李跃进	西安电子科技大学微电子所	70	432	11.0	17.0
4	李德昌	西安电子科技大学物理系	20	82	6.0	7.0