FLASH存储单元结构及功能研究

• 作者: 刘寅 朱钧 苏昱
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: FLASH 热电子效应 器件模拟
• 年，卷（期）: 1999,（Z1）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 91-94
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.1999.Z1.024

摘要

介绍了不挥发存储器单元FLASH的工艺过程.在工艺模拟的基础上,模拟器件利用热电子注入效应实现写操作和利用F-N隧道效应实现擦操作.分析浮栅电荷量及阈值电压变化同擦写时间的关系,由此确定满足读出0/1信息要求的擦写工作条件.提出器件写操作的电流模型和理论描述公式,分析并验证了写操作中当隧道氧化层电场强度恒定时,衬底电流和阈值电压变化之间的关系.在这种情况下,衬底电流可以直接反映写操作阈值电压变化的快慢.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱钧	清华大学微电子学研究所	43	464	12.0	20.0
2	苏昱	清华大学微电子学研究所	2	15	2.0	2.0
3	刘寅	清华大学微电子学研究所	1	11	1.0	1.0