金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

• 作者: 刘传珍 吴渊 廖燕平 张玉 李牧菊 李轶华 杨柏梁 王大海 邱法斌 黄锡珉
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属诱导晶化 多晶硅薄膜 退火
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 250-254
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2123字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002

摘要

利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。