金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜

• 作者: 夏冬林 徐慢 杨晟 赵修建
• 来源期刊: 感光科学与光化学
• 学科: 工学
• 关键词: 金属铝诱导晶化 快速退火 a-Si薄膜 poly-Si薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 87-92
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-0475.2006.02.002

摘要

以氢气稀释的硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	徐慢	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	10	206	6.0	10.0
3	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
4	杨晟	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	9	160	6.0	9.0