365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制

• 作者: Brian Martin Graham Arthur 万力
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 光学光刻 模拟 多晶硅 抗反射涂层
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 专题译文
• 页码范围: 50-56
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2000.04.011

摘要

综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差,采用光刻模拟程序计算.采用顶层和底层抗反射涂层与否,对从365nm曝光的0.40μm到193nm曝光的0.225μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算.