Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

• 作者: 刘传珍 吴渊 廖燕平 张玉 李牧菊 杨伯梁 王大海 邱法斌 黄锡珉
• 来源期刊: 吉林大学自然科学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ni金属诱导晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2000.03.008

摘要

利用Ni金属诱导晶化(Metal Induced Crystallization, MIC)的方法制备p-Si薄膜. XRD, Raman光谱研究结果表明, a-Si/Ni经440 ℃ 2 h以上退火处理后, 形成多晶相结构. 用SEM, XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析, 并对金属Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄锡珉	中国科学院长春物理研究所	39	413	11.0	19.0
2	王大海	中国科学院长春物理研究所	4	17	2.0	4.0
3	刘传珍	中国科学院长春物理研究所	3	10	2.0	3.0
4	李牧菊	中国科学院长春物理研究所	5	16	2.0	4.0
5	吴渊	中国科学院长春物理研究所	3	14	2.0	3.0
6	张玉	中国科学院长春物理研究所	17	40	4.0	6.0
7	廖燕平	中国科学院长春物理研究所	2	15	2.0	2.0
8	杨伯梁	中国科学院长春物理研究所	1	7	1.0	1.0