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摘要:
用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了ZnS的低温沉积.用 X射线光电子能谱(XPS)对上述ZnS薄膜以及热蒸发ZnS薄膜中的Zn、S元素的化学环境进行了对比实验研究.实验表明:离子束溅射沉积ZnS薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到元素Zn、S的沉积.
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关键词云
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文献信息
篇名 ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究
来源期刊 无机材料学报 学科 物理学
关键词 ZnS 离子束溅射沉积 XPS HgCdTe 表面抗反射膜
年,卷(期) 2000,(6) 所属期刊栏目 简报
研究方向 页码范围 1127-1130
页数 4页 分类号 O484
字数 1959字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.031
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所 69 451 10.0 18.0
2 汤定元 中国科学院上海技术物理研究所 16 70 4.0 7.0
3 李言谨 中国科学院上海技术物理研究所 24 187 8.0 13.0
4 方家熊 中国科学院上海技术物理研究所 39 184 7.0 11.0
5 周咏东 苏州大学物理系 8 40 3.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnS
离子束溅射沉积
XPS
HgCdTe
表面抗反射膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
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