大尺寸单晶金刚石薄膜的外延生长

• 作者: 张阳 朱鹤孙 杨宁 杨新武 陈光华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石薄膜 化学汽相沉积法(CVD) 电子回旋共振等离子体(ECR) 外延生长 β-SiC
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 250-252
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.03.008

摘要

用电子回旋共振等离子体增强的化学汽相沉积法, 在单晶硅衬底上外延生长出了近于100μm2的单晶金刚石薄膜.使用的原料气体是高纯的氢气和甲烷,生长前没有对衬底做划痕和研磨等预处理.生长中是把衬底放在ECR共振区,并施加了射频负偏压.研究证实,在单晶金刚石薄膜的外延中,硅衬底表面形成高质量结晶的β-SiC过渡层是外延生长金刚石单晶的关键条件;而射频负偏压对于β-SiC过渡层的形成是致关重要的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张阳	北京理工大学材料科学研究中心	6	59	4.0	6.0
2	杨新武	北京工业大学材料科学与工程学院	16	111	6.0	10.0
3	朱鹤孙	北京理工大学材料科学研究中心	81	1121	19.0	28.0
4	陈光华	北京工业大学材料科学与工程学院	65	396	11.0	16.0
5	杨宁	北京工业大学材料科学与工程学院	5	54	3.0	5.0