亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术

• 作者: 宗祥福 庞海舟 林健 梁京 郑国祥 黄榕旭
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阶梯覆盖 平坦化 阻挡层 浸润层 平行化器 扫描电镜
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 614-619
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 3026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.017

摘要

在亚微米IC器件的铝金属化工艺中,采用了阻挡层和硅化物后,发现随着铝淀积温度的升高,铝的阶梯覆盖率有所提高.为克服高温淀积带来的问题,采用了两步的冷/热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射.通过研究和一系列的比较实验,发现影响铝填充性能的主要因素为:热铝淀积温度、热铝淀积功率、Ti浸润层厚度及冷热铝厚度比.由此得到了适合于实际亚微米IC器件生产的金属化工艺优化条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄榕旭		5	47	3.0	5.0
2	郑国祥	复旦大学材料科学系	24	138	6.0	10.0
3	宗祥福	复旦大学材料科学系	39	315	11.0	16.0
4	梁京	复旦大学材料科学系	1	5	1.0	1.0
5	林健		1	5	1.0	1.0
6	庞海舟		4	10	2.0	3.0