集成电路应用与抗辐射加固（下）

• 作者: 王平
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 抗辐射 SOI材料
• 年，卷（期）: dzyqjyy_2000,（7）
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN4

摘要

<正> 4 制造SOI材料的方法现在,有六种方法可供选用:(1)介质隔离技术;(2)硅/蓝宝石(SOS)隔离技术;(3)氧离子注入隔离(SIMOX)技术;(4)区熔再结晶(ZMR)技术;(5)硅片直接键合与背面腐蚀(SDB & BE)技术;(6)氧化多孔性硅全隔离(FIPOS)技术。在这些制备方法中,氧离子注入二氧化硅埋层隔离最适用于制备超薄(<150nm)硅材料。用这种材料制作的器件抗闭锁、短沟道效应及热电子效应小、电导大、亚阈值斜率特性好。TI公司和哈里斯公司已采用这种技术制作64k位SRAM,其性能和抗辐射能力与SOS技术相当,成品率达到50%以上,

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王平		14	15	3.0	3.0