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摘要:
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水力旋流器
分离效率
迁移率
计算模型
双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响
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有效质量
双轴应变
迁移率
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碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究
碳化硅
界面态
反型沟道迁移率
阈值电压
输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响
有机电致发光器件
复合电流密度
输运层厚度
载流子迁移率
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 具有高电子迁移率的β铁硅化物连续膜
来源期刊 金属功能材料 学科
关键词
年,卷(期) 2000,(6) 所属期刊栏目 简讯
研究方向 页码范围 45
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
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相关学者/机构
期刊影响力
金属功能材料
双月刊
1005-8192
11-3521/TG
大16开
北京海淀学院南路76号
18-244
1994
chi
出版文献量(篇)
2441
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6
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