纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型

• 作者: 张进城 李培咸 范隆 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 电子迁移率 解析模型
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1044-1048
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.008

摘要

在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型,该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响.模拟结果和测量数据的比较表明该模型在1016～1020cm-3的电子浓度、30～800K的温度和0～0.9的杂质补偿率范围内具有较好的一致性.该电子迁移率解析模型对于GaN器件的数值模拟和器件仿真设计具有很强的实用意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子研究所	40	140	7.0	8.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
4	李培咸	西安电子科技大学微电子研究所	36	324	10.0	17.0
5	范隆	西安电子科技大学微电子研究所	8	107	5.0	8.0