用偏压磁控溅射法在水冷PPA(Polypropylene Ad ipate)聚脂胶片上制备了性能优良的ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜,对薄膜的光电性质进行了研究.制备样品的相对透过率为80%左右、最小电阻率为6.3×10-4Ω cm,与衬底附着良好.当衬底负偏压为40V时,晶粒平均尺寸最大为55nm,相应地自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3cm2/Vs,薄膜的电阻率有最小值.X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的C轴具有[222]方向的择优取向,随衬底负偏压的增大, 沿[400]方向生长的晶相减少.最佳衬底负偏压取值范围为20~40V.XPS分析表明随衬底负偏压的增大,薄膜中的氧空位浓度最大,自由载流子浓度有所增大.