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摘要:
混合微电路技术的飞速发展对传统封装材料提出了更新、更高的要求.尤其是像柯伐这种热膨胀系数低的传统封装材料,已不能满足大功率GaAs和Si集成电路器件的要求.目前国际上出现一种新型封装材料,即AISiC金属基体复合物(MMC)材料,以其优越的物理特性及电性能成为高级混合微电路封装的理想材料.本文通过与传统封装材料的对比,展示了这种新型封装材料的优越性、并阐述了它的制造工艺及其应用前景.
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文献信息
篇名 高级混合微电路用新型封装材料
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 AISiC封装材料 金属基体复合物(MMC)
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 20-23
页数 4页 分类号 TN305.94
字数 2191字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2001.01.006
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1 赵钰 13 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
AISiC封装材料
金属基体复合物(MMC)
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
总被引数(次)
9543
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