K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性

• 作者: 华中一 姚彦 徐华华 杨剑 范智勇 莫晓亮 蔡亲佳 陈国荣 顾海华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 固态化学置换反应 K(TCNQ)薄膜 电双稳 电荷转移络合物
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 364-367
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+2
• 字数: 1741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.05.005

摘要

在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同.但不同的是,在300 K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性.因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	华中一	复旦大学材料科学系	51	348	11.0	15.0
2	杨剑	复旦大学材料科学系	6	36	3.0	6.0
3	徐华华	复旦大学化学系	12	45	4.0	6.0
4	陈国荣	复旦大学材料科学系	35	270	10.0	14.0
5	莫晓亮	复旦大学材料科学系	19	118	8.0	10.0
6	蔡亲佳	复旦大学材料科学系	2	18	2.0	2.0
7	范智勇	复旦大学材料科学系	4	24	3.0	4.0
8	顾海华	复旦大学材料科学系	2	18	2.0	2.0
9	姚彦	复旦大学材料科学系	5	36	3.0	5.0