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摘要:
用小角X射线衍射方法对Si/Co多层膜进行了测试研究,应用衍射理论对测试中出现的周期数不多的强峰和其间的一系列次强峰进行了分析,在计算多层和单层膜厚度时,提出利用相邻两个衍射峰的角度之差来消除系统误差和定位误差的简便方法,使数据处理得到简化.最后,通过XPS分析指出,在膜层界面具有硅的化合物存在.
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文献信息
篇名 磁控溅射Si/Co多层膜的小角X射线衍射测试研究
来源期刊 云南民族学院学报(自然科学版) 学科
关键词 小角X射线衍射 磁控溅射 Si/Co多层膜
年,卷(期) 2001,(2) 所属期刊栏目 基础理论及应用基础研究
研究方向 页码范围 326-328
页数 3页 分类号
字数 2031字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-8513.2001.02.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钱天才 6 69 2.0 6.0
2 杨喜昆 9 116 4.0 9.0
3 饶之帆 1 0 0.0 0.0
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
小角X射线衍射
磁控溅射
Si/Co多层膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
云南民族大学学报(自然科学版)
双月刊
1672-8513
53-1192/N
大16开
中国昆明市一二·一大街134号
1992
chi
出版文献量(篇)
2286
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5
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8502
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