流延硅基PZT厚膜工艺研究

• 作者: 任天令 刘理天 左如忠 李龙土 林州 赵宏锦
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 流延 锆钛酸铅(PZT) 厚膜 射频天线
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 449-452
• 页数: 4页
• 分类号: TN713
• 字数: 2917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.06.013

摘要

研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅(PZT)厚膜的工艺.考虑衬底特性对厚膜品质的影响,在不同的种子层上分别制备了PZT厚膜,测试工艺结果,证实了种子层的作用.分析了高温烧结时间对流延PZT厚膜品质的影响,确定了最优高温烧结时间.文章提出的硅基PZT厚膜工艺可用于制备射频天线的介质基片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李龙土	清华大学材料系	122	1435	22.0	31.0
2	刘理天	清华大学微电子研究所	230	1519	19.0	23.0
3	任天令	清华大学微电子研究所	87	600	13.0	19.0
4	林州	清华大学微电子研究所	2	11	2.0	2.0
5	赵宏锦	清华大学微电子研究所	7	77	5.0	7.0
6	左如忠	清华大学材料系	5	51	4.0	5.0