微桥结构PZT厚膜红外探测器研究

• 作者: 吴传贵 唐治军 张万里 彭强祥 曹家强 罗文博
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 红外探测仪 PZT厚膜 微桥结构 探测率
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 13-16
• 分类号: TN215
• 字数: 2825字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.12.004

摘要

利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构.使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数.结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5× 102V/W;在调制频率为167.3 Hz时,其探测率达7.5×108cm ·Hz1/2/W; PZT厚膜探测器的热时间常数为51 ms,与PZT陶瓷器件相比小约一个数量级,有利于其在高频响应方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	吴传贵	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	27	96	5.0	8.0
3	罗文博	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	25	79	5.0	6.0
4	彭强祥	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	19	2.0	3.0
5	曹家强	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	4	2.0	2.0
6	唐治军		2	3	1.0	1.0