CVD条件对金刚石薄膜/钼基体界面层的影响

• 作者: 汪建华 邬钦崇 马志斌
• 来源期刊: 武汉化工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 界面层 碳化物
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: O484.3|O539
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2001.03.012

摘要

用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Mo基片上沉积金刚石薄膜时,界面层钼的碳化程度与初始沉积条件有关.利用XRD,SEM,EDS对界面层进行的研究表明:在化学气相沉积的开始阶段,较低的甲烷浓度有利于碳向基体内的扩散从而让表面的Mo充分碳化,形成富含Mo2C的界面层.甲烷浓度过高时有利于金刚石的形核而不利于碳向基体内的扩散.在金刚石薄膜的生长过程中,碳向基体内的扩散很少,界面层的组成结构保持不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邬钦崇	中国科学院等离子体物理研究所	18	105	7.0	9.0
2	汪建华	武汉化工学院材料科学与工程系	57	613	12.0	20.0
3	马志斌	武汉化工学院材料科学与工程系	24	335	9.0	17.0