PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

• 作者: 丁士进 张卫 张庆全 王季陶
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相淀积 氟碳掺杂的氧化硅薄膜 X射线光电子能谱 傅立叶变换红外光谱 折射率
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1169-1173
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 1633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.022

摘要

以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4Fs)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300°C.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王季陶	复旦大学电子工程系	24	155	7.0	11.0
2	丁士进	复旦大学电子工程系	29	174	7.0	12.0
3	张卫	复旦大学电子工程系	43	271	10.0	14.0
4	张庆全	复旦大学电子工程系	2	6	1.0	2.0